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Vcsel芯片隱裂（cracks）、InGaAs瑕疵紅外無損檢測(cè)

法拉第激光隔離器膠合偏振片無損檢驗(yàn)

die chip ， IC 失效分析

Wafer正反面定位標(biāo)記重合誤差無損測(cè)量

硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底 缺陷無損紅外檢測(cè)

對(duì)太陽(yáng)能電池/組件加載電壓后，使之發(fā)光，再利用近紅外相機(jī)攝取其發(fā)光影像，因電致發(fā)光亮度正比于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度，缺陷處因具有較低的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度而發(fā)出較弱的光，從而形成較暗的影像。